广州超薄硅片切割小孔加工

联系人:张经理 硅片激光切割设备的特点： ·高配置：采用进口光纤激光器，光束质量更好（标准基模）、切缝更细（30μm）、边缘更平整光滑。 ·免维护：整机采用国际标准模块化设计，真正免维护、不间断连续运行、无消耗性易损件更换。 ·操作方便：设备集成风冷设置，设备体积更小，操作更简单。 ·专用控制软件：专为激光划片机而设计的控制软件，操作简单，能实时显示划片路径。 ·工作效率高：T型台双工位交替运行，提高工作效率。 激光切割于传统机械切割硅片相比，是一种行的加工方式，有一下几点加工优势： 1、激光加工一步即可完成的、干燥对的加工过程。 2、边缘光滑整齐，不需要后续的清洁和打磨。 3、激光加工的分离过程产生高强度、自然回火的边缘，没有微小裂痕。使用激光加工避免了不可预料的裂痕和残破，提高了成品率。 1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。 2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。 3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。 4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。 5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。 6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。 7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。 激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案，很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。 超薄硅片打孔是一项非常精细的工序，因为硅片较薄，打孔的时候不能损坏其表面的精度，打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。 激光打孔是将光斑直径缩小到微米级，从而获得高的激光功率密度，几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔，孔径小、加工速度快、效率高。 超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm); 半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割，氮化镓,铜铟镓硒， ,等多种基材的精细切割钻孔，蚀刻，微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体，各种透光材质都可做，价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm 小孔径0.05mm 大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm